BSS84PH6327XTSA1
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| Numero di parte | BSS84PH6327XTSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSS84PH6327XTSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4451 pcs | Scheda dati | BSS84P Datasheet |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 Ohm @ 170mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | BSS84P H6327 BSS84P H6327-ND SP000702496 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
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