BSS816NW L6327
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| Numero di parte | BSS816NW L6327 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSS816NW L6327 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5669 pcs | Scheda dati | BSS816NW |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 750mV @ 3.7µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | BSS816NW L6327-ND BSS816NWL6327 SP000464852 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
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