BSS119 E7796
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| Numero di parte | BSS119 E7796 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSS119 E7796 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5911 pcs | Scheda dati | BSS119 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi | BSS119 E7796-ND BSS119E7796 BSS119E7796T SP000011162 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
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- Parte#:
4922R-46J - Produttori:
API Delevan - Descrizione:
FIXED IND 5.6MH 100MA 40 OHM SMD - Disponibile:
24113