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BSO083N03MSGXUMA1

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Numero di parte BSO083N03MSGXUMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 118229 pcs
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Numero di parte BSO083N03MSGXUMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 118229 pcs Scheda dati BSO083N03MS G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 8.3 mOhm @ 14A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi BSO083N03MS GINDKR
BSO083N03MS GINDKR-ND
BSO083N03MSGXUMA1DKR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 11A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)

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