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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > BSM35GB120DN2HOSA1

BSM35GB120DN2HOSA1

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Numero di parte BSM35GB120DN2HOSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1285 pcs
Prezzo di Riferimento
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$23.75

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Numero di parte BSM35GB120DN2HOSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1285 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3.2V @ 15V, 35A Contenitore dispositivo fornitore Module
Serie - Potenza - Max 280W
Contenitore / involucro Module Altri nomi BSM35GB120DN2
SP000100461
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Termistore NTC No
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Ingresso Standard Tipo IGBT -
Descrizione dettagliata IGBT Module Half Bridge 1200V 50A 280W Chassis Mount Module Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA
Corrente - collettore (Ic) (max) 50A Configurazione Half Bridge

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