BSF050N03LQ3GXUMA1
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| Numero di parte | BSF050N03LQ3GXUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSF050N03LQ3GXUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4627 pcs | Scheda dati | BSF050N03LQ3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 28W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 3-WDSON |
| Altri nomi | BSF050N03LQ3 GCT BSF050N03LQ3 GCT-ND BSF050N03LQ3GXUMA1CT |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 60A (Tc) |
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