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BSC500N20NS3GATMA1

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Numero di parte BSC500N20NS3GATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 63374 pcs
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Numero di parte BSC500N20NS3GATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 63374 pcs Scheda dati BSC500N20NS3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 60µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 22A, 10V Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC500N20NS3GATMA1DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 24A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)

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