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BSC190N12NS3GATMA1

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Numero di parte BSC190N12NS3GATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 92225 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		5000 pcs
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Numero di parte BSC190N12NS3GATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 92225 pcs Scheda dati BSC190N12NS3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 42µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 19 mOhm @ 39A, 10V Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 G-ND
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3 GTR-ND
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 120V Descrizione dettagliata N-Channel 120V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.6A (Ta), 44A (Tc)

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