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Numero di parte BSC077N12NS3GATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 60224 pcs
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Numero di parte BSC077N12NS3GATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 60224 pcs Scheda dati BSC077N12NS3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 110µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 7.7 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 120V Descrizione dettagliata N-Channel 120V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.4A (Ta), 98A (Tc)

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