BSC028N06NSATMA1
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| Numero di parte | BSC028N06NSATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.334 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BSC028N06NSATMA1 | fabbricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 69218 pcs | Scheda dati | BSC028N06NS |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2700pF @ 30V |
| Tensione - Ripartizione | PG-TDSON-8 | Vgs (th) (max) a Id | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (Max) | 6V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | OptiMOS™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23A (Ta), 100A (Tc) | Polarizzazione | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSC028N06NSATMA1TR BSC028N06NSTR BSC028N06NSTR-ND SP000917416 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks | codice articolo del costruttore | BSC028N06NSATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 37nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8V @ 50µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 60V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 60V |
| rapporto di capacità | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
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