AUIRF7309QTR
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| Numero di parte | AUIRF7309QTR |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.275 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AUIRF7309QTR | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 68568 pcs | Scheda dati | AUIRF7309Q |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.4A, 10V | Potenza - Max | 1.4W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SP001521596 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3A |
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