AUIRF2907ZS7PTL
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| Numero di parte | AUIRF2907ZS7PTL |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | AUIRF2907ZS7PTL | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5106 pcs | Scheda dati | AUIRF2907ZS-7P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 110A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Altri nomi | SP001516558 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7580pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 75V | Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
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