IXFX55N50F
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| Numero di parte | IXFX55N50F |
|---|---|
| fabbricante | IXYS RF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.754 | $8.29 | $7.705 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IXFX55N50F | fabbricante | IXYS RF |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4386 pcs | Scheda dati | IXF(K,X)55N50F |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PLUS247™-3 | Serie | HiPerRF™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 85 mOhm @ 27.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 560W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | Q1649656 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
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