IXTP4N80P
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| Numero di parte | IXTP4N80P |
|---|---|
| fabbricante | IXYS Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.554 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IXTP4N80P | fabbricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 61217 pcs | Scheda dati | IXT(A,P)4N80P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220AB | Serie | PolarHV™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 800V | Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
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