IXFX21N100Q
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| Numero di parte | IXFX21N100Q |
|---|---|
| fabbricante | IXYS Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 30 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.624 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IXFX21N100Q | fabbricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3913 pcs | Scheda dati | IXF(K,X)21N100Q |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 4mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PLUS247™-3 | Serie | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 1000V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
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