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IXFA6N120P TRL

IXFA6N120P TRL
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Numero di parte IXFA6N120P TRL
fabbricante IXYS Corporation
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 19745 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IXFA6N120P TRL fabbricante IXYS Corporation
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 19745 pcs Scheda dati IXF(A,P,H)6N120P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (IXFA) Serie HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4 Ohm @ 500mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi IXFA6N120P TRL-ND
IXFA6N120PTRL
Q10805674		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 1200V Descrizione dettagliata N-Channel 1200V 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

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