IS62WV5128DALL-55BI
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| Numero di parte | IS62WV5128DALL-55BI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS62WV5128DALL-55BI | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5778 pcs | Scheda dati | IS62WV5128DxLL, IS65WV5128DxLL |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 55ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.65 V ~ 2.2 V | Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 36-TFBGA (6x8) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 36-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | SRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) | Tempo di accesso | 55ns |
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