IS61WV51216EEBLL-10B2LI
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| Numero di parte | IS61WV51216EEBLL-10B2LI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 480 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.599 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS61WV51216EEBLL-10B2LI | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 9407 pcs | Scheda dati | IS61WV51216EExLL, 64WV51216EEBLL |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 10ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.4 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) | Serie | - |
| Contenitore / involucro | 48-TFBGA | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8) | Tempo di accesso | 10ns |
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