IS61NLP51236-200B3I
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| Numero di parte | IS61NLP51236-200B3I |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS61NLP51236-200B3I | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5749 pcs | Scheda dati | IS61N(LP,VP)25672, 51236,102418 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 3.135 V ~ 3.465 V | Tecnologia | SRAM - Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) | Serie | - |
| Contenitore / involucro | 165-TBGA | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
| Frequenza dell'orologio | 200MHz | Tempo di accesso | 3.1ns |
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