IS49NLS18320-33BI
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| Numero di parte | IS49NLS18320-33BI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS49NLS18320-33BI | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5292 pcs | Scheda dati | IS49NLS96400, IS49NLS18320 |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | DRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 144-FCBGA (11x18.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 144-TFBGA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5) | Frequenza dell'orologio | 300MHz |
| Tempo di accesso | 20ns |
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