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IS46R16320E-5TLA1-TR

IS46R16320E-5TLA1-TR
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Numero di parte IS46R16320E-5TLA1-TR
fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 12841 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IS46R16320E-5TLA1-TR fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12841 pcs Scheda dati IS43R86400E, IS4xR16320E, 32160E
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 2.3 V ~ 2.7 V Tecnologia SDRAM - DDR
Contenitore dispositivo fornitore 66-TSOP II Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II Frequenza dell'orologio 200MHz
Tempo di accesso 700ps

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