IS43R86400E-5BL
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| Numero di parte | IS43R86400E-5BL |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 190 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.015 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS43R86400E-5BL | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 11995 pcs | Scheda dati | IS43R86400E, IS4xR16320E, 32160E |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 2.3 V ~ 2.7 V | Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-TFBGA (13x8) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (13x8) | Frequenza dell'orologio | 200MHz |
| Tempo di accesso | 700ps |
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