IS43DR86400E-3DBL
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| Numero di parte | IS43DR86400E-3DBL |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.385 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS43DR86400E-3DBL | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 25842 pcs | Scheda dati | IS4xDR86400E, IS4xDR16320E |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V | Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore | 60-TWBGA (8x10.5) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
| Altri nomi | 706-1559 | temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5) | Frequenza dell'orologio | 333MHz |
| Tempo di accesso | 450ns |
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- Parte#:
EMI2121MTTAG - Produttori:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - Descrizione:
CMC 100MA 2LN SMD ESD - Disponibile:
190919