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IS43DR86400C-25DBLI

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Numero di parte IS43DR86400C-25DBLI
fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 12361 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IS43DR86400C-25DBLI fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12361 pcs Scheda dati IS43/46DR86400C, IS43/46DR16320C
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore 60-TWBGA (8x10.5) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 60-TFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5) Frequenza dell'orologio 400MHz
Tempo di accesso 400ps

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