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IS43DR16320E-3DBL

IS43DR16320E-3DBL
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Numero di parte IS43DR16320E-3DBL
fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 27441 pcs
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Numero di parte IS43DR16320E-3DBL fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 27441 pcs Scheda dati IS4xDR86400E, IS4xDR16320E
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V Tecnologia SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore 84-TWBGA (8x12.5) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 84-TFBGA
Altri nomi 706-1555 temperatura di esercizio 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 333MHz 450ns 84-TWBGA (8x12.5) Frequenza dell'orologio 333MHz
Tempo di accesso 450ns

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ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR16320E-3DBL. Distributore IS43DR16320E-3DBL. IS43DR16320E-3DBL fornitore. Prezzo IS43DR16320E-3DBL. IS43DR16320E-3DBL Scarica la scheda tecnica Foglio dati IS43DR16320E-3DBL. Stock IS43DR16320E-3DBL.Acquista IS43DR16320E-3DBL. ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR16320E-3DBL. ISSI IS43DR16320E-3DBL. ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL. Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR16320E-3DBL.