IS42S32200E-6B
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| Numero di parte | IS42S32200E-6B |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS42S32200E-6B | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4166 pcs | Scheda dati | DRAM Part Number GuideIS42S32200E |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 90-TFBGA |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 (1 Year) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 64Mb (2M x 32) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13) | Frequenza dell'orologio | 166MHz |
| Tempo di accesso | 5.5ns |
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