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IS42S32160F-75EBL-TR

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Numero di parte IS42S32160F-75EBL-TR
fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 7708 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IS42S32160F-75EBL-TR fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 7708 pcs Scheda dati IS42(R,S)32160F,IS45(R,S)32160F
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 3 V ~ 3.6 V Tecnologia SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 90-TFBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA (8x13) Frequenza dell'orologio 133MHz
Tempo di accesso 6ns

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