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IS42S32160F-6BLI

IS42S32160F-6BLI
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Numero di parte IS42S32160F-6BLI
fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 3975 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte IS42S32160F-6BLI fabbricante ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3975 pcs Scheda dati IS42(R,S)32160F,IS45(R,S)32160F
Categoria Circuiti integrati (ICS) Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 3 V ~ 3.6 V Tecnologia SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) Serie -
imballaggio Tray Contenitore / involucro 90-TFBGA
Altri nomi 706-1364
IS42S32160F-6BLI-ND		 temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria Parallel Formato di memoria DRAM
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 167MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) Frequenza dell'orologio 167MHz
Tempo di accesso 5.4ns

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