IS42S32160B-75ETLI
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| Numero di parte | IS42S32160B-75ETLI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IS42S32160B-75ETLI | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4254 pcs | Scheda dati | IS42S32160B, IS45S32160B |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 86-TSOP II | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo di memoria | Volatile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) | Interfaccia di memoria | Parallel |
| Formato di memoria | DRAM | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 5.5ns 86-TSOP II | Frequenza dell'orologio | 133MHz |
| Tempo di accesso | 5.5ns |
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