IS42S16160G-6BI
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| Numero di parte | IS42S16160G-6BI |
|---|---|
| fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrizione | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | IS42S16160G-6BI | fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5942 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 3 V ~ 3.6 V | Tecnologia | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 54-TFBGA (8x8) | Serie | - |
| Contenitore / involucro | 54-TFBGA | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8) |
| Frequenza dell'orologio | 166MHz | Tempo di accesso | 5.4ns |
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