70V657S15BC8
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| Numero di parte | 70V657S15BC8 |
|---|---|
| fabbricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $19.302 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 70V657S15BC8 | fabbricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 1569 pcs | Scheda dati | IDT SuffixesIDT70V659/58/57S |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
| Tensione di alimentazione - | 3.15 V ~ 3.45 V | Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 256-CABGA (17x17) | Serie | - |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 256-LBGA |
| Altri nomi | IDT70V657S15BC8 IDT70V657S15BC8-ND |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 4 (72 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 15ns 256-CABGA (17x17) | Numero di parte base | IDT70V657 |
| Tempo di accesso | 15ns |
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