70V3579S5DRI
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| Numero di parte | 70V3579S5DRI |
|---|---|
| fabbricante | IDT (Integrated Device Technology) |
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | 70V3579S5DRI | fabbricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4719 pcs | Scheda dati | 70V3579SIDT Suffixes |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 3.15 V ~ 3.45 V | Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore | 208-PQFP (28x28) | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 208-BFQFP |
| Altri nomi | IDT70V3579S5DRI IDT70V3579S5DRI-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descrizione dettagliata | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28) |
| Numero di parte base | IDT70V3579 | Tempo di accesso | 5ns |
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