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GP2M004A060HG

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Numero di parte GP2M004A060HG
fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4578 pcs
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Numero di parte GP2M004A060HG fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4578 pcs Scheda dati GP2M004A060FG, HG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V Dissipazione di potenza (max) 86.2W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-220 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)

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