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GP1M009A090FH

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Numero di parte GP1M009A090FH
fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4228 pcs
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Numero di parte GP1M009A090FH fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 900V 9A TO220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4228 pcs Scheda dati GP1M009A090(F)H
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi 1560-1173-1
1560-1173-1-ND
1560-1173-5		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2324pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 900V Descrizione dettagliata N-Channel 900V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

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