Italia

Seleziona la lingua

  1. English
  2. Deutsch
  3. Français
  4. Italia
  5. Dansk
  6. 한국의
  7. Português
  8. ภาษาไทย
  9. Kongeriket
  10. Maori
  11. Melayu
  12. polski
  13. Nederland
  14. Türk dili
  15. Suomi
  16. Tiếng Việt
  17. Svenska
  18. русский
  19. العربية
  20. Gaeilge
  21. Republika e Shqipërisë
  22. Eesti Vabariik
  23. Български език
  24. Pilipino
  25. Čeština
  26. Hrvatska
  27. românesc
  28. မြန်မာ
  29. Cрпски
  30. සිංහල
  31. Slovenská
  32. Slovenija
  33. español
  34. עִבְרִית
  35. Ελλάδα
  36. Magyarország
  37. Azərbaycan
  38. Беларусь
  39. íslenska
  40. Bosna
  41. فارسی
  42. Afrikaans
  43. Cambodia
  44. საქართველო
  45. Ayiti
  46. Hausa
  47. Kurdî
  48. Latviešu
  49. ພາສາລາວ
  50. lietuvių
  51. Lëtzebuergesch
  52. malaɡasʲ
  53. Македонски
  54. Україна
  55. Indonesia
  56. پښتو
  57. हिंदी
  58. Монголулс
  59. اردو
  60. বাংলা ভাষার
  61. नेपाली
  62. O'zbek
  63. मराठी
Annulla
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

GP1M008A050PG
OMRON AUTOMATION & SAFETYLe immagini sono solo di riferimento.
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare GP1M008A050PG con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia

Richiedi un preventivo

Numero di parte GP1M008A050PG
fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5515 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)
Get a quote

Invia una richiesta di offerta a quantità maggiori di quelle visualizzate.

Prezzo indicativo:(USD)
Quantità:
Totale:
$0.00

Product parameter

Numero di parte GP1M008A050PG fabbricante Global Power Technologies Group
Descrizione MOSFET N-CH 500V 8A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5515 pcs Scheda dati GP1M008A050CG, PG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole I-PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

Prodotti correlati

GP1M009A020PG Image
GP1M007A090H Image
GP1M008A050HG Image
GP1M008A025HG Image
GP1M007A090FH Image
GP1M008A025FG Image
GP1M009A020FG Image
GP1M008A050FG Image
GP1M008A080FH Image
GP1M009A060FH Image
GP1M009A020HG Image
GP1M008A080H Image
GP1M009A050HS Image
GP1M009A050FSH Image
GP1M009A060H Image
GP1M008A025PG Image

Notizie correlate per GP1M008A050PG

Parole chiave collegate a GP1M008A050PG

Global Power Technologies Group GP1M008A050PG. Distributore GP1M008A050PG. GP1M008A050PG fornitore. Prezzo GP1M008A050PG. GP1M008A050PG Scarica la scheda tecnica Foglio dati GP1M008A050PG. Stock GP1M008A050PG.Acquista GP1M008A050PG. Global Power Technologies Group GP1M008A050PG.