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MBR500200CT

MBR500200CT
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Numero di parte MBR500200CT
fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1304 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte MBR500200CT fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1304 pcs Scheda dati MBR500150CT thru MBR500200CTR
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 920mV @ 250A
Tensione - inversa (Vr) (max) 200V Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
imballaggio Bulk Contenitore / involucro Twin Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Schottky
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 250A Chassis Mount Twin Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3mA @ 200V Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 250A

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