GA50JT12-247
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| Numero di parte | GA50JT12-247 |
|---|---|
| fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
| Descrizione | TRANS SJT 1.2KV 50A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $43.643 | $40.916 | $39.006 | |||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | GA50JT12-247 | fabbricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS SJT 1.2KV 50A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 961 pcs | Scheda dati | GA50JT12-247 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | - | Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247AB | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A | Dissipazione di potenza (max) | 583W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 1242-1191 GA50JT12247 |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V | Tipo FET | - |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V | Descrizione dettagliata | 1200V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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