FQPF8N80CYDTU
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| Numero di parte | FQPF8N80CYDTU |
|---|---|
| fabbricante | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.677 | $0.607 | $0.488 | $0.401 | $0.332 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQPF8N80CYDTU | fabbricante | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 59177 pcs | Scheda dati | FQP8N80C, FQPF8N80C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2050pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione | TO-220F-3 (Y-Forming) | Vgs (th) (max) a Id | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | QFET® | Stato RoHS | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8A (Tc) | Polarizzazione | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 23 Weeks |
| codice articolo del costruttore | FQPF8N80CYDTU | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45nC @ 10V |
| Tipo IGBT | ±30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 250µA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800V | rapporto di capacità | 59W (Tc) |
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