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SI8261BAC-C-IS

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Numero di parte SI8261BAC-C-IS
fabbricante Energy Micro (Silicon Labs)
Descrizione DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 78785 pcs
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Numero di parte SI8261BAC-C-IS fabbricante Energy Micro (Silicon Labs)
Descrizione DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 78785 pcs Scheda dati Si826x Datasheet
Categoria Isolatori Tensione di alimentazione - 6.5 V ~ 30 V
Tensione - Isolamento 3750Vrms Tensione - Forward (Vf) (Typ) 2.8V (Max)
Tecnologia Capacitive Coupling Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC
Serie Automotive, AEC-Q100 Tempo di salita / scadenza (Typ) 5.5ns, 8.5ns
Distorsione Larghezza Pulse (Max) 28ns Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max) 60ns, 50ns
imballaggio Tube Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Numero di canali 1
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC Corrente - Uscita di picco 4A
Corrente - uscita alta, bassa 500mA, 1.2A Corrente - DC Forward (If) (Max) 30mA
Immunità transitoria in modalità comune (Min) 35kV/µs Approvazioni CQC, CSA, UR, VDE

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