VS-FC80NA20
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| Numero di parte | VS-FC80NA20 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 108A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 160 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $10.168 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VS-FC80NA20 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 108A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 3383 pcs | Scheda dati | VS-FC80NA20 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-227 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 80A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 405W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 23 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10720pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 108A (Tc) 405W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 108A (Tc) |
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- Parte#:
9DB403DGILFT - Produttori:
IDT (Integrated Device Technology) - Descrizione:
IC BUFFER 4OUTPUT DIFF 28-TSSOP - Disponibile:
47095