VQ1001P-2
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| Numero di parte | VQ1001P-2 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VQ1001P-2 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5071 pcs | Scheda dati | VQ1001J/P |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 14-DIP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 830mA |
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