VP0808B-E3
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| Numero di parte | VP0808B-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | VP0808B-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5571 pcs | Scheda dati | VP0808B/L/M,VP1008B/L/M |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-39 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V | Descrizione dettagliata | P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 880mA (Ta) |
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