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US1M-E3/5AT

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Numero di parte US1M-E3/5AT
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 530378 pcs
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Numero di parte US1M-E3/5AT fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 530378 pcs Scheda dati Packaging InformationUS1A - US1M
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1000V Contenitore dispositivo fornitore DO-214AC (SMA)
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 75ns imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro DO-214AC, SMA Altri nomi US1M-E3/5ATGICT
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Standard Descrizione dettagliata Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10µA @ 1000V Corrente - raddrizzata media (Io) 1A
Capacità a Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Numero di parte base US1M

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