US1JHE3/5AT
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| Numero di parte | US1JHE3/5AT |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | US1JHE3/5AT | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4209 pcs | Scheda dati | Packaging InformationUS1A - US1M |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.7V @ 1A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 600V | Contenitore dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Velocità | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 75ns | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DO-214AC, SMA | Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 1A | Capacità a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Numero di parte base | US1J |
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