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TP0610K-T1-GE3

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Numero di parte TP0610K-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 530033 pcs
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Numero di parte TP0610K-T1-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 530033 pcs Scheda dati TP0610K
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi TP0610K-T1-GE3-ND
TP0610K-T1-GE3TR
TP0610KT1GE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 33 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 185mA (Ta)

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