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SUP85N03-3M6P-GE3

SUP85N03-3M6P-GE3
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Numero di parte SUP85N03-3M6P-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 61735 pcs
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Numero di parte SUP85N03-3M6P-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 61735 pcs Scheda dati Packaging InformationSUP85N03-3M6P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 3.6 mOhm @ 22A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3535pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 85A (Tc) 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)

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