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SUM90330E-GE3

SUM90330E-GE3
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Numero di parte SUM90330E-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 70392 pcs
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Numero di parte SUM90330E-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 200V 35.1A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 70392 pcs Scheda dati SUM90330E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) Serie ThunderFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SUM90330E-GE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 35.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35.1A (Tc)

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