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SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3
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Numero di parte SUM70040M-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 55096 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SUM70040M-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 55096 pcs Scheda dati SUM70040M
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Altri nomi SUM70040M-GE3TR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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