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SUM40N10-30-E3

SUM40N10-30-E3
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Numero di parte SUM40N10-30-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5352 pcs
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Numero di parte SUM40N10-30-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5352 pcs Scheda dati SUM40N10-30
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 30 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 107W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SUM40N10-30-E3DKR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 40A (Tc) 3.75W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)

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