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SUM110N03-04P-E3

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Numero di parte SUM110N03-04P-E3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4378 pcs
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Numero di parte SUM110N03-04P-E3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4378 pcs Scheda dati SUM110N03-04P
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SUM110N03-04P-E3-ND
SUM110N03-04P-E3TR
SUM110N0304PE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)

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